
В 21 веке принято верить рекламе, так устроено. Потрясающие транзисторы на нитрид-галиевой технологии способны выдавать частоту работы в 100 Мгц.
Усилитель на транзисторах 21 века GAN – VMV A1 PRO выдает чудовищную скорость в 1 Мгц – 1 миллион переключений в секунду в ключевом режиме.
Если снять лапшу с ушей, то стоит определить миллион – это много или мало?
Любители аудио, я вам могу уверенно заявить, что вам ссут в уши. 1 МГц для GAN в VMV A1 PRO это плевок в рожу с ноги.
GAN знамениты тем, что в теории способны в 100 Ггц, не несчастный 1 Мгц.
Старые добрые живые мосфеты выдавали не 1 мгц как в несчастном “Hi-End” SMSL VMV A1 PRO, а от 40 Мгц (в старых добрых 907 от Sansui в конце 80х) до 175 Мгц (миллион герц), не несчастный 1, в VMV A1 PRO, а 175 – это выдавал транзистор VRF151.
80 Мгц – выдавал VRG154 – на это фоне ГАН на 1 кажетсмя бомжарой в 21 веке.
В чем суть – на самом деле предел ГАН – это 100 Ггц, но это пока мечты.
Реальные частоты – это на сегодняшний день: максимальная частота усиления достигает 10,5 ГГц, а предельная частота усиления по мощности может достигать 100 ГГц в лабораторных образцах.
Основные частотные характеристики
-
Рабочий диапазон частот: от 0,8 ГГц до 10,5 ГГц
-
Предельная частота усиления: до 100 ГГц (в лабораторных образцах)
-
Частотный диапазон применения: S-, C-, X-диапазоны
Примеры современных моделей
-
Серия DXG1CH60B-45CF/DF:
-
Частотный диапазон: до 6 ГГц
-
Частота максимального усиления: 2600 МГц
-
Мощность: 45 Вт
-
КПД: 65%
-
Серия FTMTN:
-
FTMTN085096-51: 8.5-9.6 ГГц
-
FTMTN068077-51: 6.8-7.7 ГГц
-
FTMTN050060-50-A: 5-6 ГГц
-
FTMTN048060-51: 4.8-6 ГГц
Производители и разработки
Ведущие производители GaN-транзисторов:
-
Ampleon (ex. NXP)
-
Integra Technologies
-
Microsemi Corporation
-
Wolfspeed (Cree)
-
Qorvo (ex. RFMD + TriQuint)
Российские разработки:
-
АО «НИИЭТ»
-
АО «Светлана-Рост»
-
АО «Светлана-Электронприбор»
-
ИСВЧПЭ РАН
-
ЗАО «Элма-Малахит»
-
ИФП РАН
-
АО НПФ «Микран»
-
АО «НПП «Пульсар»
Преимущества GaN-транзисторов
-
Высокая удельная мощность (> 10 Вт/мм)
-
Широкий диапазон рабочих частот
-
Высокие пробивные напряжения (до 150 В)
-
Высокая подвижность электронов (~ 1500 см²/В·с)
-
Широкий диапазон согласования
-
Высокий КПД
Максимальные частоты у мосфет:
Микрополупроводниковые решения (Microsemi):
-
ARF1519:
-
Частота: 25 МГц
-
Мощность: 750 Вт
-
Напряжение: 250 В
-
-
VRG154:
-
Частота: 80 МГц
-
Мощность: 600 Вт при 50 В
-
Напряжение: 170 В
-
-
VRF151:
-
Частота: 175 МГц
-
Мощность: 150 Вт
-
Напряжение: 170 В
-
-
VRF141:
-
Частота: 175 МГц
-
Мощность: 150 Вт
-
Напряжение: до 170 В
-
Питание: 28 В
-
-
DRF1200:
-
Частота: до 30 МГц
-
Мощность: 360 Вт
-
Напряжение: 1000 В
-
-
IRFD120 демонстрирует впечатляющие характеристики:
-
Тип транзистора: N-канальный MOSFET
-
Максимальная частота переключения: до 1 МГц в ключевом режиме
-
Напряжение сток-исток: 100 В
-
Ток стока: 1.3 А
-
Ну в скорости работы транзисторов здравое звено есть, но не одним этим качеством должен обладать усилитель. Не менее важен аспект играть и вниз. Поскольку музыка, ритм меняется со скоростью в несколько герц и очень важно чтоб усилитель имел возможность работы предельно низко. Вообще в современном мире детальность получить довольно просто, а вот с мызыкальность проблемы. Красивые цифры могут быть пустые на самом деле и ничего не означать. Я рад что современные технологии , програмируемые матрицы и прочее дали возможность мультибиту на вторую жизнь и лестнички получили детальность не уступающих дельта-сигме и даже выше при этом просто с крутейшей музыкальностью. Единственный минус что это дорого…